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BSC320N20NS3 G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 36A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2350pF @ 100V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：帶卷 (TR)

BSC320N20NS3 G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 36A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2350pF @ 100V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：Digi-Reel®

BSC320N20NS3 G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫歐 @ 36A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2350pF @ 100V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSC320N20NS3 G供應商

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FET - 陣列 Diodes Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N CH 60V 5A SO-8
D38999/20FJ43BB
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ECA36DRMH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 72POS .125 SQ WW
D38999/20MG41AA
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 41POS PIN
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通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 30.5K OHM 1/2W .5% AXIAL
BRACKET205
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